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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IMZ120R350M1HXKSA1

技術(shù)標準參數(shù)：SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IMZ120R350M1HXKSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：CoolSiC?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1.2kV

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：4.7A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：350 毫歐 @ 2A，18V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.3nC @ 18V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：182pF @ 800V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：PG-TO247-4-1

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Infineon

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