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圖片信息
IMBG120R060M1HXTMA1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IMBG120R060M1HXTMA1
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IMBG120R060M1HXTMA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IMBG120R060M1HXTMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：CoolSiC?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
  • 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：83 毫歐 @ 13A，18V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+18V，-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1.145nF @ 800V
  • FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 功率耗散（最大值）：181W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PG-TO263-7-12
  • IMBG120R060M1HXTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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