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圖片信息
1EDN7511BXUSA1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：1EDN7511BXUSA1
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標準參數(shù)：IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
  • 點擊此處下載1EDN7511BXUSA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：1EDN7511BXUSA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
  • 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
  • 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
  • 系列：EiceDriver?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 驅(qū)動配置：半橋，低壓側(cè)
  • 通道類型：單路
  • 驅(qū)動器數(shù)：1
  • 柵極類型：N 溝道，P 溝道 MOSFET
  • 電壓-供電：4.5V ~ 20V
  • 邏輯電壓?-VIL，VIH：1.2V，1.9V
  • 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：4A，8A
  • 輸入類型：反相，非反相
  • 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：-
  • 上升/下降時間（典型值）：6.5ns，4.5ns
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝：SOT-23-6
  • 1EDN7511BXUSA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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