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圖片信息
IXYP10N65C3D1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IXYP10N65C3D1
  • 原始制造廠商：IXYS
  • 技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 650V 30A 160W TO-220
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IXYP10N65C3D1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IXYP10N65C3D1
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）
  • 描述：IGBT 650V 30A 160W TO-220
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：PT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：54A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：160W
  • 開關(guān)能量：240μJ（開），110μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：18nC
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：20ns/77ns
  • 測試條件：400V，10A，50 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr)：170ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-220-3
  • IXYP10N65C3D1均從IXYS代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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