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圖片信息
IXYN120N65B3D1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IXYN120N65B3D1
  • 原始制造廠商：IXYS
  • 技術(shù)標準參數(shù)：IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IXYN120N65B3D1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IXYN120N65B3D1
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）
  • 描述：IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：PT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：250A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：770A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，100A
  • 功率-最大值：830W
  • 開關(guān)能量：1.34mJ（開），1.5mJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：250nC
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：30ns/168ns
  • 測試條件：400V，50A，2 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：28ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝：SOT-227-4，miniBLOC
  • IXYN120N65B3D1均從IXYS代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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