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圖片信息
IXYH100N65C3圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：IXYH100N65C3
  • 原始制造廠商：IXYS
  • 技術標準參數：IGBT 650V 200A 830W TO247
  • 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載IXYH100N65C3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：IXYH100N65C3
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）
  • 描述：IGBT 650V 200A 830W TO247
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：GenX3?, XPT?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：PT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：200A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：420A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，70A
  • 功率-最大值：830W
  • 開關能量：2.15mJ（開），840μJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：164nC
  • 25°C時Td（開/關）值：28ns/106ns
  • 測試條件：400V，50A，3 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • IXYH100N65C3均從IXYS代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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