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圖片信息
IXYA30N120A4HV圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):IXYA30N120A4HV
  • 原始制造廠(chǎng)商:IXYS
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載IXYA30N120A4HV的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXYA30N120A4HV
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))
  • 描述:DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:GenX4?, XPT?
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類(lèi)型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):106A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):184A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,25A
  • 功率-最大值:500W
  • 開(kāi)關(guān)能量:4mJ(開(kāi)),3.4mJ(關(guān))
  • 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:57nC
  • 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:15ns/235ns
  • 測(cè)試條件:960V,25A,5 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):42ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB
  • IXYA30N120A4HV均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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