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深圳市南皇電子有限公司長期提供IXTD1R4N60P 11（品牌: IXYS）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
IXTD1R4N60P 11圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IXTD1R4N60P 11
  • 原始制造廠商：IXYS
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載IXTD1R4N60P 11的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IXTD1R4N60P 11
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：PolarHV?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1.4A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：9 歐姆 @ 700mA，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 25μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：140pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：模具
  • IXTD1R4N60P 11均從IXYS代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    IXYS產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - IXTD1R4N60P 11 - IXYS公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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