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圖片信息
IXDI602SIATR圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IXDI602SIATR
  • 原始制造廠商:IXYS
  • 技術(shù)標準參數(shù):IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
  • 點擊此處下載IXDI602SIATR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IXDI602SIATR
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購) Integrated Circuits Division
  • 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
  • 產(chǎn)品系列:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
  • 包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 驅(qū)動配置:低端
  • 通道類型:獨立式
  • 驅(qū)動器數(shù):2
  • 柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET
  • 電壓-供電:4.5V ~ 35V
  • 邏輯電壓?-VIL,VIH:0.8V,3V
  • 電流-峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A
  • 輸入類型:反相
  • 高壓側(cè)電壓-最大值(自舉):-
  • 上升/下降時間(典型值):7.5ns,6.5ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • IXDI602SIATR均從IXYS代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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