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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IS43DR86400E-3DBL（品牌: ISSI）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
IS43DR86400E-3DBL圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IS43DR86400E-3DBL
  • 原始制造廠商：ISSI
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲(chǔ)器
  • 點(diǎn)擊此處下載IS43DR86400E-3DBL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IS43DR86400E-3DBL
  • 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
  • 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
  • 包裝：托盤
  • 系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 存儲(chǔ)器類型：易失
  • 存儲(chǔ)器格式：DRAM
  • 技術(shù)：SDRAM - DDR2
  • 存儲(chǔ)容量：512Mb（64M x 8）
  • 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率：333MHz
  • 寫周期時(shí)間-字，頁(yè)：15ns
  • 訪問時(shí)間：450ns
  • 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度：0°C ~ 85°C（TC）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
  • IS43DR86400E-3DBL均從ISSI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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