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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供DMTH6010LPD-13(品牌: Diodes)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
DMTH6010LPD-13圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):DMTH6010LPD-13
  • 原始制造廠商:Diodes,美臺(tái)半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載DMTH6010LPD-13的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):DMTH6010LPD-13
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):13.1A(Ta),47.6A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):40.2nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2615pF @ 30V
  • 功率-最大值:2.8W
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerTDFN
  • DMTH6010LPD-13均從Diodes代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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