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圖片信息
SQJ474EP-T1_GE3圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：SQJ474EP-T1_GE3
  • 原始制造廠商：Vishay，威世
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
  • 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SQJ474EP-T1_GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：SQJ474EP-T1_GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：26A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PowerPAK? SO-8
  • SQJ474EP-T1_GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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