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深圳市南皇電子有限公司長期提供SI2365EDS-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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圖片信息
SI2365EDS-T1-GE3圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：SI2365EDS-T1-GE3
  • 原始制造廠商：Vishay，威世
  • 技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SI2365EDS-T1-GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：SI2365EDS-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：P 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：5.9A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 4A，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1W（Ta），1.7W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：TO-236
  • SI2365EDS-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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