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圖片信息
RN1911FE,LF(CT圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：RN1911FE,LF(CT
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準參數(shù)：NPN X 2 BRT, Q1BSR=10K?, Q1BER=I
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 點擊此處下載RN1911FE,LF(CT的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：RN1911FE,LF(CT
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：NPN X 2 BRT, Q1BSR=10K?, Q1BER=I
  • 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器-基極(R1)：10 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2)：-
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 頻率-躍遷：250MHz
  • 功率-最大值：100mW
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：SOT-563，SOT-666
  • RN1911FE,LF(CT均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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