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圖片信息
RN1109ACT(TPL3)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：RN1109ACT(TPL3)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù)：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
  • 點擊此處下載RN1109ACT(TPL3)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：RN1109ACT(TPL3)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
  • 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：80mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器-基極(R1)：47 kOhms
  • 電阻器-發(fā)射極(R2)：22 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：150mV @ 250μA，5mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：500nA
  • 頻率-躍遷：-
  • 功率-最大值：100mW
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：SC-101，SOT-883
  • RN1109ACT(TPL3)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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