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圖片信息
M474A1G43EB1-CPB圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：M474A1G43EB1-CPB
  • 原始制造廠商：Samsung，三星半導體
  • 技術標準參數：SAMSUNG DRAM NAND
  • 產品應用分類：模塊
  • 點擊此處下載M474A1G43EB1-CPB的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 三星模塊型號：M474A1G43EB1-CPB
  • 制造商：SAMSUNG（三星半導體）
  • 功能類別：模塊
  • DDR：四代雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器
  • DIMM 類型：ECC SODIMM
  • 容量：8GB
  • 內存區(qū)塊組織：2R x 8
  • 速率：2133 Mbps
  • 工作電壓：1.2 V
  • 組件成分：(512M x 8) x 18
  • M474A1G43EB1-CPB均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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