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圖片信息
SCT30N120H圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SCT30N120H
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SCT30N120H的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SCT30N120H
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):40A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 20A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):105nC @ 20V
  • Vgs(最大值):+25V,-10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1700pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):270W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:H2Pak-2
  • SCT30N120H均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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