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圖片信息
L6389ED圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:L6389ED
  • 原始制造廠商:ST,意法半導體
  • 技術標準參數:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
  • 產品應用分類:電源管理IC - 柵極驅動器
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:L6389ED
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
  • 產品系列:電源管理IC - 柵極驅動器
  • 包裝:管件
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 驅動配置:半橋
  • 通道類型:獨立式
  • 驅動器數:2
  • 柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET
  • 電壓-供電:17V(最大)
  • 邏輯電壓?-VIL,VIH:1.1V,1.8V
  • 電流-峰值輸出(灌入,拉出):400mA,650mA
  • 輸入類型:反相
  • 高壓側電壓-最大值(自舉):600V
  • 上升/下降時間(典型值):70ns,40ns
  • 工作溫度:-45°C ~ 125°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • L6389ED均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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