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圖片信息
RGT8BM65DTL圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：RGT8BM65DTL
  • 原始制造廠商：ROHM，羅姆
  • 技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 650V 8A 62W TO-252
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載RGT8BM65DTL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：RGT8BM65DTL
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：IGBT 650V 8A 62W TO-252
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：8A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：12A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
  • 功率-最大值：62W
  • 開關(guān)能量：-
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：13.5nC
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：17ns/69ns
  • 測試條件：400V，4A，50歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr)：40ns
  • 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  • RGT8BM65DTL均從ROHM代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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