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圖片信息
NVD14N03RT4G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NVD14N03RT4G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載NVD14N03RT4G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NVD14N03RT4G
  • 制造廠家名稱:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):95 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.8nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):115pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:1.04W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝:DPAK-3
  • NVD14N03RT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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