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圖片信息
NSBA114TDXV6T5G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：NSBA114TDXV6T5G
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 點(diǎn)擊此處下載NSBA114TDXV6T5G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSBA114TDXV6T5G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
  • 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 晶體管類(lèi)型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器-基極(R1)：10 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2)：-
  • 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：500nA
  • 頻率-躍遷：-
  • 功率-最大值：500mW
  • 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
  • 封裝：SOT-563，SOT-666
  • NSBA114TDXV6T5G均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
    ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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