深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供HGT1S20N60C3S9A（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGT1S20N60C3S9A制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 45A TO263AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：45A電流-集電極脈沖(Icm)：300A不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，20A功率-最大值：164W開(kāi)關(guān)能量：295μJ（開(kāi)），500μJ（關(guān)）輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：91nC25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：28ns/151ns測(cè)試條件：480V，20A，10 歐姆，15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABHGT1S20N60C3S9A均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
