圖片信息
基本技術信息：
技術參數(shù)詳解：
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡述: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML
系列: -
FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極，4V 驅動
漏源極電壓（Vdss）: 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 20A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 60 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 45nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 2200pF @ 20V
功率 - 最大值: 2W
安裝類型: 通孔
產(chǎn)品封裝: TO-220-3 整包
供應商器件封裝: TO-220ML
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