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圖片信息
PHD18NQ10T,118圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：PHD18NQ10T,118
  • 原始制造廠商：NXP，恩智浦半導體
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  • 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載PHD18NQ10T,118的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：PHD18NQ10T,118
  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：TrenchMOS?
  • 零件狀態(tài)：停產
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：633pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：79W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：DPAK
  • PHD18NQ10T,118均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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