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圖片信息
PEMD30,115圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:PEMD30,115
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:陣列﹐預(yù)偏壓式晶體管
  • 點擊此處下載PEMD30,115的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:PEMD30,115
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 系列:-
  • 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):2.2k
  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):-
  • 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):1μA
  • 頻率 - 躍遷:-
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666
  • PEMD30,115均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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