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圖片信息
A3I35D012WNR1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：A3I35D012WNR1
  • 原始制造廠商：NXP，恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù)：AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：射頻放大器
  • 點擊此處下載A3I35D012WNR1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：A3I35D012WNR1
  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 描述：AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
  • 類別：RF-IF 和 RFID 射頻放大器
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 頻率：3.2GHz ~ 4GHz
  • P1dB：-
  • 增益：30.5dB
  • 噪聲系數(shù)：-
  • 射頻類型：通用
  • 電壓-供電：20V ~ 32V
  • 電流-供電：138mA
  • 測試頻率：3.8GHz
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-270-17 變式，扁平引線
  • A3I35D012WNR1均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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