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圖片信息
APTM100H45SCTG圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：APTM100H45SCTG
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管模塊
  • 點擊此處下載APTM100H45SCTG的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APTM100H45SCTG
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  • 系列：POWER MOS 7
  • FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：18A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：540 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：154nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：357W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP4
  • 供應(yīng)商器件封裝：SP4
  • APTM100H45SCTG均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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