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圖片信息
APTM100A46FT1G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：APTM100A46FT1G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載APTM100A46FT1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APTM100A46FT1G
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：2 個 N 通道（半橋）
  • FET功能：標準
  • 漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：19A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：552 毫歐 @ 16A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：260nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：6800pF @ 25V
  • 功率-最大值：357W
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝：SP1
  • APTM100A46FT1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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