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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IRFH5302DTR2PBF（品牌: IR）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

IRFH5302DTR2PBF - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，IR代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IRFH5302DTR2PBF

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFH5302DTR2PBF

制造廠家名稱(chēng)：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)

描述：MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

系列：HEXFET

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：29A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3635pF @ 25V

功率 - 最大值：3.6W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：8-VQFN

供應(yīng)商器件封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤(pán)

IRFH5302DTR2PBF均從IR代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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