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圖片信息
IRF7341PBF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IRF7341PBF
  • 原始制造廠商：IR，國際整流器
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：場(chǎng)效應(yīng)管陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載IRF7341PBF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF7341PBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：4.7A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：50 毫歐 @ 4.7A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：36nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：740pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
  • IRF7341PBF均從IR代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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