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圖片信息
FDFMA2P859T圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:FDFMA2P859T
  • 原始制造廠商:Fairchild,仙童,飛兆
  • 技術標準參數(shù):MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載FDFMA2P859T的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FDFMA2P859T
  • 制造廠家名稱:Fairchild 仙童半導體(已被ON安森美收購)
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
  • 系列:PowerTrench
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:二極管(隔離式)
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):435pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:6-WDFN
  • 供應商器件封裝:6-MicroFET(2x2)
  • FDFMA2P859T均從Fairchild代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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