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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供DMT3009LDT-7（品牌: Diodes）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
DMT3009LDT-7圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：DMT3009LDT-7
  • 原始制造廠商：Diodes，美臺(tái)半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載DMT3009LDT-7的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMT3009LDT-7
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型
  • FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：30A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：11.1 毫歐 @ 14.4A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 15V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 15V
  • 功率-最大值：1.2W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-VDFN
  • DMT3009LDT-7均從Diodes代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Diodes產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - DMT3009LDT-7 - Diodes公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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